真空管アンプの「しくみ」と「基本」、オーディオのための交流理論Q&A

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全738件の内、新着の記事から30件ずつ表示します。

五極管モデル

投稿者：te0904ru 投稿日：2020年 8月16日(日)12時47分12秒

TINAの五極管モデルを作る際には三結のデータが必要ですが、データシートにそのデータが載っていない球も多くあります。そのような球は、三結のプレート電圧-プレート電流特性を計測する必要がありますが、手作業ではかなり面倒な作業です・・・。そこで、PCから直流安定化電源を制御し、デジタルマルチメータの測定値をExcel.csvにする自動計測システムを構築してみました。いくつか実測してモデルを作成しましたので使えるものがあればご活用ください。 ※使用した球は全て東芝製、ほぼ新品のものです。要Googleアカウント。 https://drive.google.com/drive/folders/1rCDX8atgOoddm-IDA5dEi0tdWQyot1rz?usp=sharing リクエストがあればできる限り対応します～　計測の様子 https://twitter.com/te0904ru/status/1293796454574649345

Re: 図 46: 歪み打ち消しを行った場合の入出力特性

投稿者：マコト投稿日：2020年 8月 2日(日)08時41分48秒

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> No.17047[元記事へ] Ayumiさんへのお返事です。 > 修正しました。 > なにぶん、元のドキュメントが古く、文字コードを変換し、グラフを全部作成し直しました。ありがとうございます。お疲れさまでした。この位置だと現代的にもちょうどいい感度になりますね。ところで、グラフは両対数でよかったでしたっけ?

Re: 図 46: 歪み打ち消しを行った場合の入出力特性

投稿者：Ayumi 投稿日：2020年 7月30日(木)22時16分38秒

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> No.17044[元記事へ] 修正しました。なにぶん、元のドキュメントが古く、文字コードを変換し、グラフを全部作成し直しました。

Re: 図 46: 歪み打ち消しを行った場合の入出力特性

投稿者：Ayumi 投稿日：2020年 7月22日(水)19時12分18秒

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> No.17044[元記事へ] マコトさんご指摘ありがとうございます。おっしゃるとおりです。修正は今すぐとはいかないので、しばらくお待ちください。

図 46: 歪み打ち消しを行った場合の入出力特性

投稿者：マコト投稿日：2020年 7月21日(火)10時46分39秒

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「オルソンアンプの製作」で図 46: 歪み打ち消しを行った場合の入出力特性のグラフが、W 対　THD%になっていますが、入力V 対　出力Wの間違いではないでしょうか。

ベリンガー B-5 回路図

投稿者：Ayumi 投稿日：2020年 5月 6日(水)17時32分9秒

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入手してから時間が経ってしまいましたが、回路図を載せます。

Re: CSPPのゲインについて

投稿者：uchiyama 投稿日：2020年 1月25日(土)13時10分39秒

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Ayumiさんへのお返事です。ご回答いただき、ありがとうございます。実例まで入れていただき、理解が深まりました。感謝いたします。

Re: CSPPのゲインについて

投稿者：Ayumi 投稿日：2020年 1月24日(金)21時16分10秒

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> No.17040[元記事へ] uchiyamaさんへのお返事です。マッキントッシュ回路用のOPTのインピーダンス表記はまちまちで、たとえばLuxの8045G用のOPT GX100-3.6は、名称からすると3.6kΩのように見えますが、実際は900Ωです。このトランスでゲインを計算しようとする場合に、 RL1としてはこの900Ωの2倍の1.8kΩを使う、ということになります。

CSPPのゲインについて

投稿者：uchiyama 投稿日：2020年 1月19日(日)21時46分45秒

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初めて投稿します。アンプ設計の勉強をしています。ayumiさんの記事はとても参考になり感謝しています。「電脳時代の真空管アンプ設計---第3部」の「5.3 CSPPのゲインと出力インピーダンス」にあります、 ”RL1” についてお伺いいたします。「P-K間の負荷インピーダンスをRL1とします．この負荷インピーダンスは，プッシュプルの場合の2倍になります．」との記述がありますが、この意味は、例えば実際に使用するOPTのP1-P2間インピーダンスが5KΩならば、RL1は10KΩ（5KΩの2倍）であり、CSPP回路の利得を (5.4) 式で計算するときは、 RL1の値は10KΩとして計算する、という意味でよろしいでのでしょうか。稚拙な質問で恥ずかしいのですが、ご教授いただけると幸いです。

Re: 真空管を用いた発振回路について

投稿者：Ayumi 投稿日：2019年12月24日(火)20時58分1秒

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> No.17037[元記事へ] たとえば、プレートがむき出しの真空管にシールドケースをかぶせて使うような場合、モデルのプレートからグラウンドへ数pFのコンデンサを付けてあげたりして表現します。電磁的な結合を表したいなら、結合インダクタ(トランス)を使えばよいと思います。マイクロフォニックなどの機械的なものは難しいですが、電圧制御電圧源などで、グリッドの電圧を揺すってあげればよいと思います。いずれにしろサブサーキットの中まで手を入れる必要性はあまりないのではと思います。真空管モデルの代わりに等価回路を使うメリットは、シミュレーションが高速なことと、特性が理想的なことであって、それ以外の面ではいいことはありません。たとえば、現実の発振回路では、波形が大きくなってカットオフしたり、グリッド電流が流れたりして、振幅が一定になりますが、等価回路ではそのような制限がかからないので、振幅がどんどん大きくなるか、小さくなるかのどちらかになってしまいます。

Re: 真空管を用いた発振回路について

投稿者：K 投稿日：2019年12月21日(土)19時50分51秒

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お返事ありがとうございました教えていただいた通り、モデルを作成しました。 spiceで使う際、作成したモデルの中にサブサーキットとして極間の容量などが反映されていると理解しています。そこで質問なのですが、シミュレートをする時、このサブサーキット内の容量などとの共振（要は真空管以外とこの干渉）は考慮されるのでしょうか。極間容量などの特性も回路として評価したい場合はモデルを作成するより等価回路を使う方が適しているなどということはありますでしょうか？

Re: 真空管を用いた発振回路について

投稿者：Ayumi 投稿日：2019年11月16日(土)16時40分2秒

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Kさんへのお返事です。等価回路レベルでよいのであれば、電圧制御電圧源（三極管）とか電圧制御電流源（五極管、TR、FET）を使ってシミュレーションができます。動作点を知りたい、あるいはバリμ管のように動作点によって三定数が変わるような場合は、プレート特性図からデータをひろってモデルを作るほうがよいでしょう。モデルの作り方は、下のURLにあります。高周波用の真空管のモデルはほとんどありませんが、似たような特性のモデルで代替することもできるのではないかと思います。

http://ayumi.cava.jp/audio/appendix/node9.html

真空管を用いた発振回路について

投稿者：K 投稿日：2019年11月11日(月)18時40分49秒

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初めまして。 ltspiceで発振回路の設計、シミュレーションをしようとしています。各種真空管のモデル、非常に参考になりました。一つ疑問があるのですが、モデルにない真空管を使用したい場合、真空管の等価回路に3定数や容量を当てはめて使うことは可能なのでしょうか？自分で計算してモデルを自作すればいい話なのですが、、

NW-410の回路

投稿者：Ayumi 投稿日：2019年11月 7日(木)21時58分50秒

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某ブログで公開されている中国製のECM NW-410の回路が間違っているので、正しいものを貼っておきます。記事は近々書く予定です。

Re: 電源トランスの熱

投稿者：uniuni 投稿日：2019年 8月 9日(金)23時22分5秒

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Ayumiさんへのお返事です。ありがとうございます。 100℃を超えることもあるんですね。本に載っているのと同じトランスを使っているのですが、安心しました。シャーシが狭くて配線に苦労したので、どこか接触でもしていてトランスに負荷がかかっているのかと心配してました。中学以来のアンプ製作ですしたが、音が良くて大変満足しています。ありがとうございました。 > uniuniさん、こんばんは。 > > 電源トランスは、定格いっぱいの電力を取りだしている時に、 > 巻線の温度の規格を満たすように設計されます。 > この温度は、ホルマル線の場合100℃を超えます。 > したがって、トランスの外側の温度も相当高熱になり、 > 今の季節ですと、触ることができないくらいの温度になると思います。 > > もし、電源トランスの一次側の電流を測ることができるのであれば、 > その値が設計値と近ければ、心配することはないでしょう。

Re: 電源トランスの熱

投稿者：Ayumi 投稿日：2019年 8月 9日(金)22時10分37秒

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uniuniさん、こんばんは。電源トランスは、定格いっぱいの電力を取りだしている時に、巻線の温度の規格を満たすように設計されます。この温度は、ホルマル線の場合100℃を超えます。したがって、トランスの外側の温度も相当高熱になり、今の季節ですと、触ることができないくらいの温度になると思います。もし、電源トランスの一次側の電流を測ることができるのであれば、その値が設計値と近ければ、心配することはないでしょう。

http://ayumi.cava.jp/audio/cz_att/cz_att.html

電源トランスの熱

投稿者：uniuni 投稿日：2019年 8月 8日(木)18時13分49秒

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初めて投稿します。アンプ制作超初心者です。「真空管アンプの仕組みと基本」を買わせていただき、制作してみました。ノイズもなくとても満足しているのですが、電源トランスが非常に熱くなります。これは正常でしょうか？触れないほどではないですが、かなり熱くてファンを回しています。全くの初歩的な質問で申し訳ありませんが、ご回答いただけますとありがたいです。

定インピーダンスアッテネータの製作

投稿者：Ayumi 投稿日：2018年 7月22日(日)00時18分40秒

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600Ωの定インピーダンスアッテネータを製作しました。今どき600Ωでインピーダンスマッチングを取るケースなどないとは思いますが、アッテネータが正しく動作する条件がわかりましたので、利用できるシーンは結構多いのではと思います。さっそくRIAAイコライザの出力インピーダンスを600Ωに変更して使っています。

http://ayumi.cava.jp/audio/cz_att/cz_att.html

Re: 負帰還とDFの改善

投稿者：jazbo8 投稿日：2018年 7月20日(金)23時11分56秒

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> No.17021[元記事へ] I will bear that in mind, thanks. Jaz Ayumiさんへのお返事です。 > > As numbers of windings grows, it will be hard to make a correct transformer model. > The model below is sole for measuring output impedance, > so accuracy of frequency response will not be correct. > I strongly recommend that you should use minimal model which can achieve your simulation objective.

Re: 負帰還とDFの改善

投稿者：Ayumi 投稿日：2018年 7月19日(木)22時34分20秒

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> No.17020[元記事へ] jazbo8さんへのお返事です。 As numbers of windings grows, it will be hard to make a correct transformer model. The model below is sole for measuring output impedance, so accuracy of frequency response will not be correct. I strongly recommend that you should use minimal model which can achieve your simulation objective. > I'm sorry but that one does not have the UL winding, only KF, unless I'm reading it wrong. > > Thanks! > > Ayumiさんへのお返事です。 > > The transformer model used in the simulation is already posted in the 4th latest post. > > Please scroll down. > > Note that coupling factors are not accurate.

https://www.sengoku.co.jp/mod/sgk_cart/search.php?multi=%E3%83%8D%E3%82%AA%E3%83%B3%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%83%97

Re: 負帰還とDFの改善

投稿者：jazbo8 投稿日：2018年 7月18日(水)18時39分18秒

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> No.17015[元記事へ] I'm sorry but that one does not have the UL winding, only KF, unless I'm reading it wrong. Thanks! Ayumiさんへのお返事です。 > The transformer model used in the simulation is already posted in the 4th latest post. > Please scroll down. > Note that coupling factors are not accurate.

Re: トランスデバイスモデルの作成

投稿者：Lavie60 投稿日：2018年 7月 8日(日)20時39分48秒

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> No.17017[元記事へ] Ayumiさんへのお返事です。もう一度　4 トランスデバイスモデルの作成と使い方を良く読んで本日、シングル用出力トランスのモデルを作る事が出来ました。どうもありがとうございました。

Re: トランスデバイスモデルの作成

投稿者：Lavie60 投稿日：2018年 7月 7日(土)06時02分34秒

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> No.17017[元記事へ] Ayumiさんへのお返事です。ありがとうございます。もう一度読み返して見ます。

Re: トランスデバイスモデルの作成

投稿者：Ayumi 投稿日：2018年 7月 7日(土)00時11分2秒

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> No.17016[元記事へ] Lavie60さんへのお返事です。 r101 や E101 が何を意味するかは、4.2 トランス端子の命名規約に書いてあります。もう一度読み返してみて、それでもわからなければ、質問をもう少し具体的にしてください。なお、SpiceもRもコンピュータプログラムですので、一字一句たりとも違っていると動作しませんのでご注意ください。

トランスデバイスモデルの作成

投稿者：Lavie60 投稿日：2018年 7月 6日(金)17時57分44秒

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お世話になります。 LTspiceⅣの初心者です。「真空管デバイスモデルの使い方」の真空管デバイスモデルの作成と使い方を読んで真空管デバイスの作成出来るようになりました。ありがとうございます。次に4 トランスデバイスモデルの作成と使い方を読んで出力トランスデバイスを作ろうとしていますが、行き詰まりました。シングル用出力トランスを作りたいと思っています。 4.1 トランスの測定　で測定した値のCSVファイルを「Rsample」フォルダーに置くのだという所までは分かりました。分からないのが表1: トランスの種類と必要なパラメータにあるシングル用出力トランス使用する関数：trans.param.se 必要なパラメータ：r101 (r113+r103), r201, E101, (E103), E201, 101 o,101 s201 このパラメーターが何の事か、値をどう決めるのかが分かりません。よろしくお願いします。

Re: 負帰還とDFの改善

投稿者：Ayumi 投稿日：2018年 7月 1日(日)22時09分46秒

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> No.17014[元記事へ] jazbo8さんへのお返事です。 ? > Could you please provide the transformer model for FE-25-8_ULKF used in the simulation? > > Thanks! > jaz The transformer model used in the simulation is already posted in the 4th latest post. Please scroll down. Note that coupling factors are not accurate.

Re: 負帰還とDFの改善

投稿者：jazbo8 投稿日：2018年 7月 1日(日)17時17分36秒

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> No.17007[元記事へ] Could you please provide the transformer model for FE-25-8_ULKF used in the simulation? Thanks! jaz Ayumiさんへのお返事です。 > 塩田春樹さんへのお返事です。 > > 1. 出力管のプレート電流はどれくらいでしょうか？ > 2. 可能であれば、16Ω端子で出力インピーダンスを測定してみてください。 > > 今のところ下の図のような回路でゲインと出力インピーダンスをシミュレートしましたが、 > > 負帰還なし > ゲイン 33.912911 (16Ω端子) > Zo 13.389860 (16Ω端子) > DF 16 / 13.389860 = 1.194934 > > 負帰還あり > ゲイン 9.9086290 (16Ω端子) > Zo 2.4568745 (16Ω端子) > DF 16 / 2.4568745 = 6.512339 > > NF = 33.912911 / 9.9086290 = 3.422563 = 10.68703dB > > という結果になり、ダンピングファクタの計算は > (1.194934 + 1) * 3.422563 - 1= 6.5123 > となって合っているようです。 > > 8Ω端子を使うと巻線を流れる電流が一部異なってしまうので、その影響を受けないよう、16Ω端子で出力インピーダンスを測定して欲しいのです。 > > 8Ω端子でのシミュレーションは、トランスモデルを作り直さなければならないので、少々時間がかかります。

Re: カソード帰還と負帰還の改善(2)

投稿者：塩田春樹投稿日：2018年 5月10日(木)21時48分35秒

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> No.17012[元記事へ] Ayumiさんへのお返事です。シミュレーション結果、拝見しました。やはり、電流が流れていない１６Ω端子で計測しないと、正しい出力インピーダンス、すなわち、ダンピングファクターは得られないと分かりました。お手数をおかけしました。ありがとうございます。

カソード帰還と負帰還の改善(2)

投稿者：Ayumi 投稿日：2018年 5月10日(木)20時33分7秒

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下図は出力インピーダンスのシミュレーション回路です。これらの結果より、負帰還なしゲイン 16.621237 (8Ω端子) Zo 6.4099264 (8Ω端子) DF 8 / 6.4099264 = 1.248064 負帰還ありゲイン 5.1121158 (8Ω端子) Zo 1.4792351 (8Ω端子) DF 8 / 1.4792351 = 5.4082 NF = 16.621237 / 5.1121158 = 3.251342 = 10.24125dB という結果になり、ダンピングファクタの計算は (1.248064 + 1) * 3.251342 - 1 = 6.309225 となり、実際のダンピングファクタの改善は計算値よりも低くなります。やはり、2次巻線に均等に電流が流れていないことが原因のようです。

カソード帰還と負帰還の改善(1)

投稿者：Ayumi 投稿日：2018年 5月10日(木)20時29分40秒

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4Ω端子、8Ω端子、16Ω端子を備えたトランスのモデルを作成し、シミュレーションしました。下図はゲインのシミュレーション回路です。トランスのモデルは、以下の通りです。結合係数は適当ですので、高域特性は当てになりません。 * * FE-25-8_KF_8 * Copyright 2007--2018, Ayumi Nakabayashi. All rights reserved. .SUBCKT FE-25-8_KF_8 P1 B P2 S16 S8 S4 S0 * Primary Inductance L101 11 B 32.8808H L102 B 12 32.8808H * Primary DC resistance R101 P1 11 141.5 R102 12 P2 149.1 * Primary stray capacitance CP1 P1 B 7.77681e-10 CP2 B P2 7.77681e-10 * Iron loss RI1 P1 B 234.439k RI2 P2 B 234.439k * Secondary inductance L223 23 S8 0.0231840H L212 24 S4 0.0125420H L201 S4 21 0.0692336H * Secondary DC resistance R213 23 S16 0.21 R212 24 S8 0.08 R201 21 S0 0.26 * Coupling factor K1 L101 L102 0.99988311 K2 L101 L223 0.99995 K3 L101 L212 0.99995 K4 L101 L201 0.99995 K5 L102 L223 0.99995 K6 L102 L212 0.99995 K7 L102 L201 0.99995 K8 L201 L212 0.99995 K9 L201 L223 0.99995 K10 L212 L223 0.99995 .ENDS

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