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カソード帰還と負帰還の改善(1)

 投稿者:Ayumi  投稿日:2018年 5月10日(木)20時29分40秒
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  4Ω端子、8Ω端子、16Ω端子を備えたトランスのモデルを作成し、シミュレーションしました。

下図はゲインのシミュレーション回路です。

トランスのモデルは、以下の通りです。
結合係数は適当ですので、高域特性は当てになりません。

*
*   FE-25-8_KF_8
*   Copyright 2007--2018, Ayumi Nakabayashi.  All rights reserved.
.SUBCKT FE-25-8_KF_8 P1 B P2 S16 S8 S4 S0
* Primary Inductance
L101 11 B   32.8808H
L102 B  12  32.8808H
* Primary DC resistance
R101 P1 11  141.5
R102 12 P2  149.1
* Primary stray capacitance
CP1 P1 B  7.77681e-10
CP2 B  P2 7.77681e-10
* Iron loss
RI1 P1 B  234.439k
RI2 P2 B  234.439k
* Secondary inductance
L223 23 S8 0.0231840H
L212 24 S4 0.0125420H
L201 S4 21 0.0692336H
* Secondary DC resistance
R213 23 S16 0.21
R212 24 S8  0.08
R201 21 S0  0.26
* Coupling factor
K1  L101 L102 0.99988311
K2  L101 L223 0.99995
K3  L101 L212 0.99995
K4  L101 L201 0.99995
K5  L102 L223 0.99995
K6  L102 L212 0.99995
K7  L102 L201 0.99995
K8  L201 L212 0.99995
K9  L201 L223 0.99995
K10 L212 L223 0.99995
.ENDS
 
 
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